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人気デザイナー Pタイプ(100) 4インチ シリコンウェハー ニッケル膜 (1) 片面ポリシュ半導体基板【Sokatec】 0.005~0.01Ω 100nm タイムセール
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商品詳細情報
| 管理番号 |
新品 ：8509635845
中古 ：8509635845-1 |
メーカー | 586a3172a4f14 | 発売日 | 2025-04-15 03:15 | 定価 | 13500円 | ||
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| カテゴリ | |||||||||
人気デザイナー Pタイプ(100) 4インチ シリコンウェハー ニッケル膜 (1) 片面ポリシュ半導体基板【Sokatec】 0.005~0.01Ω 100nm タイムセール
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実験用顕微鏡スライド 横型顕微鏡 平面度検出顕微鏡 双頭観察 横型ビデオ顕微鏡 CCD 顕微鏡部品
実験用顕微鏡スライド 横型顕微鏡 平面度検出顕微鏡 双頭観察 横型ビデオ顕微鏡 CCD 顕微鏡部品
- 製法: CZ ; サイズ: 4インチ ;
- タイプ: P-タイプ ; ドーパント: B ; 結晶方位: 100 ;
- 抵抗: 0.005~0.01Ω ; 厚み: 525um±25 ; ニッケル膜: 100nm;
- 表面: polished; 裏面: etched ;
- [Sokatec] 高品質シリコンウェハー、オーダーメード対応可能
Silicon Wafer Specification
Size: 4inch ;
Method: CZ ;
Type: P -Type ;
Dopant: B ;
Orientation: 100 ;
Resistivity: 0.005~0.01Ω ;
Thickness: 525um±25 ;
Nickel Layer: 100nm;
TTV＜10um;
Front side: polished ;
Backside: etched ;
Package: silicon wafer case ;
*少量、多品種、特別な仕様の製品およびカスタマイズサービスを対応可能です。
*1～12インチのシリコンウェハー（ダミー、テスト、プライム）、Ge、SiC、GaN、GaAs、InP、LiNbO3、LiTaO3、サファイア、石英基板など各種半導体基板を提供できます。
*お客様のニーズによって、シリコンウェーハの酸化膜、窒化膜、金属膜、EPI、超フラット、片面・両面研磨、極厚、薄化、ダイシングサービス等の加工も承ります。
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